新潔能30-100V P溝道第一代屏蔽柵溝槽型場效應(yīng)管（P-Channel SGT-I MOSFET）系列產(chǎn)品介紹

SGT MOSFET，即屏蔽柵溝槽型場效應(yīng)管，又稱“Super Trench MOSFET”，是在傳統(tǒng)溝槽型場效應(yīng)管的基礎(chǔ)上發(fā)展而來的一種新型功率半導(dǎo)體器件。上篇文章-新潔能12-150V P溝道溝槽型場效應(yīng)管（P-Channel Trench MOSFET）系列產(chǎn)品介紹中，講述的是新潔能P溝道傳統(tǒng)溝槽型場效應(yīng)管，今天給大家介紹一下新潔能30-100V P溝道第一代屏蔽柵溝槽型場效應(yīng)管（P-Channel SGT-I MOSFET）系列產(chǎn)品。

新潔能提供擊穿電壓等級范圍為-30V至-100V的P溝道SGT-I系列功率MOSFET產(chǎn)品?；赟GT-I技術(shù)的-30~-100V P溝道功率產(chǎn)品提供超低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)），為設(shè)計人員在簡化系統(tǒng)復(fù)雜度、降低系統(tǒng)總成本的前提下，還進一步提高了系統(tǒng)效率與性能。廣泛應(yīng)用于電池保護、負載開關(guān)、電機控制及低壓驅(qū)動等應(yīng)用中。P溝道SGT-I系列功率MOSFET封裝范圍包括TO-220、TO-252、TO-263、DFN5*6、SOP-8等多種封裝形式，為設(shè)計人員優(yōu)化系統(tǒng)提供解決方案。

產(chǎn)品特點:

P溝道增強型功率MOSFET系統(tǒng)成本低，設(shè)計難度低。此類型的MOSFET在降低系統(tǒng)設(shè)計復(fù)雜度上有天然的優(yōu)勢，獨特的柵極負壓開啟機制，使得P溝道功率MOSFET成為高端開關(guān)的理想選擇。P溝道功率MOSFET產(chǎn)品的選用可以簡化柵極驅(qū)動，往往可以降低系統(tǒng)的總成本，為設(shè)計人員提供了一種新的選擇。此外，P溝道功率MOSFET產(chǎn)品利用空穴作為載流子進行導(dǎo)電，其遷移率低于N溝道功率MOSFET中的載流子電子，同等情況下，P溝道功率MOSFET產(chǎn)品導(dǎo)電性能弱于N溝道功率MOSFET產(chǎn)品。

SGT MOSFET及其優(yōu)勢:

• 提升功率密度:
  SGT工藝比普通溝槽工藝挖掘深度深3-5倍。在柵電極下方增加了一塊多晶硅電極，即屏蔽電極或稱耦合電極。屏蔽電極與源電極相連，即實現(xiàn)了屏蔽柵極與漂移區(qū)的作用，減小了米勒電容以及柵電荷，器件的開關(guān)速度得以加快，開關(guān)損耗低。同時又實現(xiàn)了電荷耦合效應(yīng)，減小了漂移區(qū)臨界電場強度，器件的導(dǎo)通電阻得以減小，與普通溝槽式MOSFET相比，SGT MOSFET的內(nèi)阻要低2倍以上。
• 極低的開關(guān)損耗：
  SGT工藝相對傳統(tǒng)Trench結(jié)構(gòu)，具有低Qg 的特點，它的技術(shù)革新改變了MOSFET內(nèi)部電場的形態(tài)，將傳統(tǒng)的三角形電場變更為梯形電場，可以進一步減小EPI層的厚度，降低導(dǎo)通電阻Rds(on)，有助于降低器件在開關(guān)電源應(yīng)用中的開關(guān)損耗。
• 更好的EMI優(yōu)勢和抗雪崩EAS能力:
  由于SGT MOSFET具有較深的溝槽深度，可以利用更多的晶硅體積來吸收EAS能量，所以SGT在雪崩時性能更強，更能承受雪崩擊穿和浪涌電流。同時SGT結(jié)構(gòu)中寄生的CD-shield和Rshield可以吸收器件關(guān)斷時dv/dt變化帶來的尖峰和震蕩，具有更好的EMI特性。

產(chǎn)品應(yīng)用：

• 電池保護：30-100V P-Channel SGT-I MOSFET用于電池保護電路中，以防止電池的過充或過放電。
• 負載開關(guān)：在負載開關(guān)電路中，30-100V P-Channel SGT-I MOSFET用于控制后級負載的電源開關(guān)。這種開關(guān)電路可以通過數(shù)字I/O引腳進行控制，具有簡單且高效的特點。
• 電機控制：在電機控制電路中，30-100V P-Channel SGT-I MOSFET作為電機的驅(qū)動器件，調(diào)節(jié)電壓的變化，控制電機的啟停和轉(zhuǎn)速。
• 低壓驅(qū)動：30-100V P-Channel SGT-I MOSFET可應(yīng)用在低壓驅(qū)動中特別是在需要低導(dǎo)通阻抗和低電壓降的場合。例如，在電源管理中，用于實現(xiàn)高效的電源開關(guān)控制，從而優(yōu)化電源效率。

南山電子是新潔能公司授權(quán)代理商，倉庫現(xiàn)貨超過200k，可以為各類新產(chǎn)品設(shè)計提供小批量樣品快速發(fā)貨服務(wù)，歡迎咨詢選購新潔能30-100V P溝道第一代屏蔽柵溝槽型場效應(yīng)管（P-Channel SGT-I MOSFET）系列產(chǎn)品，如需該產(chǎn)品最新價格請咨詢南山半導(dǎo)體官方網(wǎng)站在線客服。

新潔能30-100V P-Channel SGT-I MOSFET系列產(chǎn)品型號推薦：