N溝道MOSFET

N溝道MOSFET是一種電壓控制器件，它分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。在N溝道MOSFET中，輕摻雜的P型襯底可以形成器件本體，而源極和漏極區(qū)用N型雜質(zhì)重?fù)诫s。源極和主體通常連接到接地端子，一旦向柵極端子施加正電壓，由于柵極的正性和等效電容效應(yīng)，P型襯底的少數(shù)電荷載流子就會(huì)吸引到柵極端子。P型襯底的多數(shù)電荷載流子（如電子）和少數(shù)電荷載流子將被吸引到柵極端子，使其通過電子與空穴的復(fù)合在介電層下方形成一個(gè)未覆蓋的負(fù)離子層。如果不斷增加正柵極電壓，復(fù)合過程將在閾值電壓水平之后達(dá)到飽和，然后像電子一樣的電荷載流子將開始在該位置聚集，形成自由電子傳導(dǎo)通道。這些自由電子也將來自重?fù)诫s源，并耗盡N型區(qū)。如果在漏極端施加+ve電壓，那么電流將在整個(gè)通道中流動(dòng)。因此，溝道電阻將取決于溝道內(nèi)的電子等自由電荷載流子。同樣，這些電子將取決于該溝道內(nèi)器件的柵極電位。當(dāng)自由電子濃度形成通道時(shí)，由于柵極電壓的增加，整個(gè)通道的電流將增強(qiáng) 。