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新一代屏蔽柵溝槽型功率MOS管-新潔能30-250V N溝道SGT-Ⅲ MOSFET系列產(chǎn)品介紹
SGT技術(shù)本身是一種先進(jìn)的制造工藝，通過減小場(chǎng)效應(yīng)晶體管的寄生電容及導(dǎo)通電阻，提升了芯片性能，并減少了芯片面積。與傳統(tǒng)的溝槽型MOSFET相比，SGT技術(shù)能夠在相同功耗下將芯片面積減少40%甚至更多。之前有相關(guān)文章介紹了新潔能N溝道SGT-I和SGT-II系列產(chǎn)品，今天來介紹新潔能新一代屏蔽柵溝槽型功率MOS管-新潔能30-250V N溝道SGT-Ⅲ MOSFET系列產(chǎn)品。
產(chǎn)品特點(diǎn):
- 導(dǎo)通電阻降低：相比于上一代產(chǎn)品，SGT-Ⅲ系列MOSFET的特征導(dǎo)通電阻降低了20%以上。
- 開關(guān)特性優(yōu)良：該MOSFET具有超低柵極電荷和大電流關(guān)斷能力強(qiáng)的特點(diǎn)，能夠?qū)崿F(xiàn)快速、平穩(wěn)、高效的電源管理和電機(jī)控制。
- 抗沖擊能力強(qiáng)：新潔能的Super Trench技術(shù)提升了MOSFET器件在電能轉(zhuǎn)換過程中的系統(tǒng)效率和功率密度，同時(shí)確保在苛刻環(huán)境下開關(guān)過程中的抗沖擊耐量短路能力提升：短路能力也提升了10%以上，進(jìn)一步增強(qiáng)了產(chǎn)品的性能和競(jìng)爭(zhēng)力。
- EMI特優(yōu)化性：第三代產(chǎn)品具有更優(yōu)的電磁干擾（EMI）特性，可以更好地應(yīng)對(duì)電磁干擾問題。
| 30-250V N溝道SGT-III MOSFET產(chǎn)品列表 | |||
|---|---|---|---|
| NCEP008NH40GU | NCEP088NH150GU | NCEP015NH30AQU | NCEP055NH40GU |
| NCEP023NH30GU | NCEP008NH40ASL | NCEP015NH30GU | NCEP055NH40AGU |
| NCEP040NH150LL | NCEP018NH30QU | NCEP015NH30AGU | NCEP011NH40GU |
| NCEP011NH25QU | NCEP023NH85GU | NCEP015NH100LL | NCEP015NH40GU |
| NCEP048NH150T | NCEP014NH60GU | NCEP058NH150 | NCEP011NH40AGU |
產(chǎn)品應(yīng)用:
- 電源管理：廣泛于電源開關(guān)、電源逆變器、電源供應(yīng)和穩(wěn)壓器等應(yīng)用，以提供高效的電能控制和穩(wěn)定的電壓輸出。
- 電機(jī)控制：適用于高功率電機(jī)控制，如電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器、工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備、大型電機(jī)和電機(jī)保護(hù)電路。
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