新潔能國產(chǎn)N溝道溝槽型MOSFET NCE3050K選型資料/ 應(yīng)用分析/MOS管最新價(jià)格

N溝道溝槽型MOSFET是一種常見的功率MOSFET，通過采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了更低的導(dǎo)通損耗、更高的開關(guān)速度和更大的功率密度。之前的文章 - 新潔能12-200V N溝道溝槽型場效應(yīng)管（N-Channel Trench MOSFET）系列產(chǎn)品介紹具體闡述了此類型MOSFET，今天南山電子給大家介紹該系列的一款新潔能國產(chǎn)N溝道溝槽型MOSFET NCE3050K，廣泛應(yīng)用于電源開關(guān)、硬開關(guān)和高頻電路以及不間斷電源（UPS）等領(lǐng)域，具有非常好的使用穩(wěn)定性。

NCE3050K主要參數(shù):

• 漏源電壓（Vds）：30V
• 導(dǎo)通電阻（RDS（on））：＜11mΩ @ VGS=10V；＜16mΩ @ VGS=4.5V
• 連續(xù)漏極電流（Id）：50A
• 脈沖漏極電流（IDM）：200A
• 功率（Pd）：60W
• 工作溫度范圍：-55℃~+175℃
• 封裝形式：TO-252

NCE3050K特點(diǎn)：

• 高密度單元設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)超低Rdson：NCE3050K通過高密度單元設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了超低的導(dǎo)通電阻（Rdson），這使得其在電力開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
• 完整的雪崩電壓和電流特性分析：NCE3050K具有完全表征的雪崩電壓和電流特性，這意味著它能夠承受瞬間的高電壓沖擊，無需額外的保護(hù)電路。
• 良好的穩(wěn)定性和均勻性，具有高EAS：NCE3050K展示了良好的穩(wěn)定性和均勻性，并且具有較高的能量吸收能力（EAS），這使其在高頻和硬開關(guān)電路中表現(xiàn)優(yōu)異。
• 優(yōu)秀的封裝設(shè)計(jì)，散熱性能好：NCE3050K采用TO-252封裝，具有底部散熱片設(shè)計(jì)，能夠有效地將器件產(chǎn)生的熱量傳導(dǎo)到散熱面上，從而提高散熱效率，保證了其在高溫環(huán)境下的可靠性和穩(wěn)定性。

NCE3050K應(yīng)用：

• 電源開關(guān)應(yīng)用：由于NCE3050K具有非常穩(wěn)定、可靠、高性能的產(chǎn)品特性，具有驅(qū)動電路簡單、驅(qū)動功率小、開關(guān)速度快、工作頻率高等優(yōu)點(diǎn)，非常適合用于各種功率開關(guān)電路中，也可以在電路中起到電壓電流調(diào)節(jié)作用。
• 硬開關(guān)和高頻電路：NCE3050K具有較低的導(dǎo)通電阻及低柵極電荷，這表明其在高頻工作條件下具有較低的開關(guān)損耗，優(yōu)異的開關(guān)性能使其在硬開關(guān)和高頻電路中表現(xiàn)出色。
• 不間斷電源：NCE3050K的穩(wěn)定性和均勻性使其成為不間斷電源系統(tǒng)中的理想選擇。其高密度單元設(shè)計(jì)和優(yōu)秀的散熱性能也使其在高電流和高電壓環(huán)境下表現(xiàn)優(yōu)異，這對于不間斷電源系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件來說是非常重要的。此外，NCE3050K還經(jīng)過了100%的UIS測試，確保了其在實(shí)際應(yīng)用中的可靠性和穩(wěn)定性。

總之，新潔能的NCE3050K產(chǎn)品具有強(qiáng)大的產(chǎn)品可靠性和穩(wěn)定性，產(chǎn)品通過多種認(rèn)證，產(chǎn)品經(jīng)過很多客戶和應(yīng)用場景驗(yàn)證，在多種應(yīng)用場景中發(fā)揮重要的作用，是一款經(jīng)典而實(shí)用的電壓電流控制功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。

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