新潔能(NCE) MOS管

新潔能致力于推廣性能卓越、質量穩(wěn)定并且極具價格競爭力的全系列MOSFET產品。我們?yōu)殡娐吩O計師們提供全面的產品選擇，擊穿電壓覆蓋-200V至300V，配合先進的封裝技術，為您提供100mA至400A的電流選擇范圍。我們專注于持續(xù)改進MOSFET在電能轉換過程中的系統(tǒng)效率和功率密度以及在苛刻環(huán)境下開關過程中的抗沖擊雪崩耐量，實現(xiàn)快速、平穩(wěn)的電源管理及電能轉換。

新潔能（無錫新潔能股份有限公司）是一家國內領先的功率半導體設計公司，專注于MOSFET、IGBT等功率器件的研發(fā)與生產。新潔能在MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）領域提供了多種系列的產品。擊穿電壓覆蓋-200V至300V，配合先進的封裝技術，為您提供100mA至400A的電流選擇范圍。我們專注于持續(xù)改進MOSFET在電能轉換過程中的系統(tǒng)效率和功率密度以及在苛刻環(huán)境下開關過程中的抗沖擊雪崩耐量，實現(xiàn)快速、平穩(wěn)的電源管理及電能轉換。這些MOS管以其先進的技術、卓越的性能和廣泛的應用領域而著稱。新潔能的MOSFET產品廣泛應用于新能源汽車OBC、通信服務器、光伏儲能、不間斷電源UPS、電機驅動等領域，其產品以高性能和穩(wěn)定性著稱

一、產品系列及特點

1. N溝道SJ-IV系列（500-1050V）
   • 技術特點：采用第四代技術超結技術，具有優(yōu)異的性能，實現(xiàn)了業(yè)界先進的超低特征導通電阻（Ron,sp），在相同體積下提供更高的功率密度、更低的功耗與更高的效率。
   • 應用領域：廣泛應用于家用電器驅動、計算機電源、UPS（不間斷電源）、電動汽車充電等領域。
   • 封裝形式：包括TO-220、TO-223、TO-263、TO-251、TO-252、TO-247、DFN8*8等多種封裝形式。
2. N溝道SGT-I系列（30-250V）
   • 技術特點：以技術水平和卓越的質量管理保證了出色的產品性能和可靠性，提供了出色的導通電阻（RDS(on)）與品質因子（FOM,RDS(on)×Qg），可實現(xiàn)快速硬開關，大幅度增強了應用效率。
   • 應用領域：廣泛應用于開關電源（SMPS）中的同步整流、DC電機控制、太陽能微型逆變器、電信及服務器電源以及UPS等領域。
   • 封裝形式：包括TO-220、TO-252、TO-247、TO-263、TO-251、TOLL、DFN56、DFN33、SOP-8等多種封裝形式。
3. 高電壓VDMOS系列（1500V和1700V）
   • 技術特點：具有耐壓余量大、器件結溫高、可靠性強等特點，能在低溫至-40℃時100%保證耐壓大于額定電壓，允許的瞬態(tài)最大工作結溫達175℃，且能通過嚴苛的可靠性考核。
   • 應用領域：適用于需要高電壓、高可靠性的應用場景，如戶外或極寒工況下的系統(tǒng)。
   • 產品狀態(tài)：目前3A產品已量產，其余電流規(guī)格產品正在陸續(xù)推出。
4. P溝道SGT-I系列（-30V至-100V）
   • 技術特點：獨特的柵極負壓開啟機制，使得P溝道功率MOSFET成為高端開關的理想選擇。其導電性能雖弱于N溝道產品，但在降低系統(tǒng)設計復雜度和總成本方面具有優(yōu)勢。
   • 應用領域：廣泛應用于電池保護、負載開關、電機控制及低壓驅動等應用中。
   • 封裝形式：包括TO-220、TO-252、TO-263、DFN5*6、SOP-8等多種封裝形式。

二、技術優(yōu)勢

• 超低導通電阻：各系列MOSFET均實現(xiàn)了超低的導通電阻，有助于降低功耗和提高效率。例如新潔能的150V Gen.3 SGT MOSFET系列產品采用全新屏蔽柵溝槽技術，特征導通電阻相對上一代降低43.8%，具備更高的電流密度和功率密度 。 
• 穩(wěn)健的開關特性：針對快速開關電路進行了優(yōu)化，提供了更加穩(wěn)健的開關特性和更好的EMI表現(xiàn)。
• 良好的抗靜電能力：增強了系統(tǒng)設計的穩(wěn)定性和可靠性。
• 豐富的封裝形式：為設計人員提供了定制化、靈活多樣的選擇。
• 優(yōu)化的二極管反向恢復特性：反向恢復電荷相對上一代降低43%，更利于減小電路應用中的電壓、電流尖峰，增強電路系統(tǒng)穩(wěn)定性 。
• 加強的柵極抗振蕩能力：設計優(yōu)化后，更不易發(fā)生米勒振蕩，減少電路應用的開發(fā)時間和成本 

 三、分類：

車規(guī)級汽車用MOSFET：
新潔能提供質量可靠、品種齊全、性能卓越的車規(guī)級功率器件，包含N型MOSFET，P型MOSFET，雙通道MOSFET，IGBT，上述車規(guī)級功率器件均已通過AEC-Q101認證。其中，車規(guī)級功率MOSFET器件電壓覆蓋范圍為-150V至1050V，車規(guī)級IGBT器件電壓覆蓋范圍為600V至1200V?；谙冗M的功率器件設計與晶圓制造技術，穩(wěn)定可靠的封裝技術，優(yōu)異的質量管控，我們致力于為客戶提供“零”缺陷的汽車功率器件產品。

新潔能車規(guī)級功率器件已經廣泛應用在汽車上，從電控單元到域控制器，從蓄電池防反接到電池管理系統(tǒng)，從車艙電機驅動到主驅電控，以及各個汽車零部件中，我們?yōu)槠囯娮釉O計工程師提供了全面的產品選擇
30V至120V的N溝道功率MOSFET 產品，具備超低的導通電阻，優(yōu)異的開關特性，結合先進車規(guī)級封裝所帶來的高可靠性，為汽車電子設計工程師提供了豐富的選擇。廣泛應用于車身域控，動力電池管理，DC/DC，動力總成，輔助駕駛，車載照明等系統(tǒng)中。新潔能提供擊穿電壓等級-12V至-150V的P溝道車規(guī)級功率MOSFET產品。P溝道增強型功率MOSFET由于其獨特的柵極負壓導通機制，當它被用作高邊開關時，可以大幅度降低系統(tǒng)的設計復雜度。我們提供的P型車規(guī)級功率MOSFET器件，以其超低的導通電阻，堅固的可靠性在汽車蓄電池防反接領域得到廣泛的應用。擊穿電壓500-1050V的N溝道SJ-IV系列車規(guī)級功率MOSFET產品，以行業(yè)領先的導通電阻，極低的柵極電荷，良好的開關特性，優(yōu)秀的可靠性，是新能源電動汽車車載充電器（OBC）的理想選擇。

工業(yè)級MOSFET
除了提供12V~1700V各類N溝道，P溝道，N、P型互補式型工業(yè)級MOS管外，新潔能還針對光伏逆變器、充電樁、基站電源推出650V和1200V碳化硅功率MOSFET產品，具有電流密度大、擊穿電壓高、損耗低等特點。同時，該系列產品具有優(yōu)良的短路能力，為應用中的突發(fā)狀況提供充足的裕量。廣泛應用于新能源汽車、太陽能逆變器、充電樁、服務器電源等領域。另外，帶有額外的開爾文引腳的TO-247-4P封裝可以繞過控制回路上的源極引線電感，降低SiC MOSFET的寄生效應并進一步降低器件的開關損耗。

新潔能致力于推廣性能卓越、質量穩(wěn)定并且極具價格競爭力的全系列MOSFET產品。我們?yōu)殡娐吩O計師們提供全面的產品選擇，擊穿電壓覆蓋-200V至300V，配合先進的封裝技術，為您提供100mA至400A的電流選擇范圍。我們專注于持續(xù)改進MOSFET在電能轉換過程中的系統(tǒng)效率和功率密度以及在苛刻環(huán)境下開關過程中的抗沖擊雪崩耐量，實現(xiàn)快速、平穩(wěn)的電源管理及電能轉換。及在苛刻環(huán)境下開關過程中的抗沖擊雪崩耐量，實現(xiàn)快速、平穩(wěn)的電源管理及電能轉換。

通過采用先進的溝槽柵工藝技術和電流通路布局結構，新潔能MOSFET實現(xiàn)大幅度降低電流傳導過程中的導通損耗。同時，電流在芯片元胞當中的流通會更加均勻穩(wěn)定；應對于高頻率的開關應用，我們?yōu)樵O計師們提供低開關損耗的系列產品（產品名稱后加標C），其有效降低了柵極電荷（Qg），尤其是柵極漏極間的電荷（Qgd），從而在快速開關過程中降低開關功率損耗。

應對于半橋/全橋、AC/DC電源的同步整流以及其它需要反向續(xù)流的應用終端，我們的MOSFET著重優(yōu)化了Body Diode，在提高和加快反向續(xù)流能力的同時，降低反向恢復過程中的峰值電流（Irm）和電壓（Vrm）。

新潔能結合先進的封裝技術將MOSFET功率、電流和可靠性提升至新的高度，我們推出TO-220H封裝外形（產品名稱后加標H），有效地增加了用戶在電路板裝配MOSFET的工作效率，并降低了成本。