圓片瓷介電容器/瓷片電容

瓷片電容(ceramiccapacitor)又稱瓷介電容是圓片瓷介電容器的簡稱，用高介電常數(shù)的電容器陶瓷〈鈦酸鋇一氧化鈦〉擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質(zhì)，在陶瓷表面涂覆一層金屬薄膜,并用燒滲法將銀鍍在陶瓷上作為電極制成的電容器。瓷片電容（瓷介電容）作用主要有三個方面：1.容量損耗隨溫度頻率具高穩(wěn)定性；2.特殊的串聯(lián)結(jié)構(gòu)適合于高電壓極長期工作可靠性 ；3.高電流爬升速率并適用于大電流回路無感型結(jié)構(gòu)。通常用于高穩(wěn)定振蕩回路中，作為回路、旁路電容器及墊整電容器如消除高頻干擾。瓷片電容器不宜使用在脈沖電路中，因為它們易于被脈沖電壓擊穿。

風華高科作為國內(nèi)大型的圓片瓷介電容器（瓷片電容/瓷介電容）生產(chǎn)制造企業(yè)之一，是中國新型元器件及電子基礎(chǔ)材料的科研、生產(chǎn)和出口基地，被列入國家520戶重點大型國有企業(yè)集團，是全國技術(shù)創(chuàng)新試點企業(yè)、國家通訊產(chǎn)品國產(chǎn)化配套元件定點企業(yè)以及全國36家擴大企業(yè)博士后流動站之一。風華圓片瓷介電容器（瓷片電容/瓷介電容）系列產(chǎn)品無論是在可靠性、一致性等各個方面都表現(xiàn)優(yōu)異。南京南山作為風華電容代理商，長期以來堅持原廠進貨渠道，并被特別授予電能表行業(yè)授權(quán)經(jīng)銷商。點擊查看風華圓片瓷介電容器（瓷片電容/瓷介電容）代理聯(lián)系方式。

圓片瓷介電容器種類詳細介紹

風華瓷片電容一共有三類，共五個品種。瓷片電容分高頻瓷介和低頻瓷介兩大類。高頻瓷介電容具有小的正電容溫度系數(shù)的電容器，用于高穩(wěn)定振蕩回路中，作為回路電容器及墊整電容器，又分為CC1低壓溫度補償型瓷介電容和CC81高壓溫度補償型瓷介電容兩種。低頻瓷介限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用，或?qū)Ψ€(wěn)定性和損耗要求不高的場合（包括高頻在內(nèi)），分為CT1系列低壓高介電常數(shù)電容、CT81系列高壓高介電常數(shù)電容和CT7系列交流電容器三種。另外風華把CS1系列半導體介質(zhì)電容器也歸到瓷片電容一類。：
一、高頻圓片瓷介電容

1、CC81高壓補償型圓片瓷介電容：英文全稱(High VOLTAGE TEMPERATURE COMPENSATER CAPACITOR)series ceramic DISC capacitor，
特性： 損耗低、容量穩(wěn)定性高，適用于脈沖電路，諧振回流及溫度補償?shù)碾娐贰?br /> 封裝：Φ6-Φ12
溫度范圍：-25℃~﹢85℃
容量范圍：5pF~470pF
工作電壓：1kV~2kV
試驗電壓：1.5UR﹢500V
絕緣電阻：≥10000M歐姆

2、CC1低壓溫度補償型瓷介電容(CC1 temperature compensated capacitor)
特性：損耗低、容量穩(wěn)定性高，電容量變化與溫度號線性關(guān)系。多種溫度系數(shù)，適用于諧振回路及溫度補償交應的電路。
封裝：Φ4-Φ12
溫度范圍：-25℃~﹢85℃
容量范圍：1pF~1000pF
工作電壓：50~500V
試驗電壓：2.5UR﹢500V
絕緣電阻：≥10000M歐姆

二、低頻圓片瓷介電容器

CT7系列交流圓片瓷介電容：
英文全稱：CT7 (AC capacitor) series ceramic DISC capacitor，適用于電子設(shè)備的跨電源線連接、旁路、天線耦合及開關(guān)浪涌抑制器等。
封裝尺寸：Φ8-Φ16
溫度范圍：-25℃~﹢85℃
容量范圍：180pF~10nF
工作電壓：250~400V
試驗電壓：10UR
絕緣電阻：≥10000M歐姆
安全認證：CQC，德國VDE安全認證，瑞士SEV安全認證，瑞典SEMKO安全認證，挪威NEMKO安全認證，丹麥demko安全認證，芬蘭fimko安全認證，美國ul認證，CB安全認證。

CT81系列高壓高介電常數(shù)電容：(High voltage High dielectric constant capacitor
特性：具有多種溫度級別。適用于作高壓旁路或耦合路中。
封裝尺寸：Φ6-Φ18
溫度范圍：見規(guī)格書EIA代碼表
容量范圍：100pF~10nf
工作電壓：1kV~3kV
試驗電壓：1.5UR+500V
絕緣電阻：≥4000MΩ

CT1系列低壓高介電常數(shù)電容: (Low voltage High dielectric constant capacitor） series ceramic capacitor
特性：具有多種溫度級別，適用于作旁路或耦合、低頻損耗和電容量穩(wěn)定性能要求不高的振頻電路中。
封裝尺寸：Φ5-Φ16
溫度范圍：見規(guī)格書EIA代碼表
容量范圍：100pF~0.2uf
工作電壓：50V~500V
試驗電壓：2.5UR
絕緣電阻：≥4000MΩ

風華圓片瓷介電容型號識別與命名方法

1、風華瓷片電容產(chǎn)品類型代號，共6個產(chǎn)品代號。
CC1：低壓溫度補償型瓷介電容
CC81：高壓補償型圓片瓷介電容
CT1：低壓高介電常數(shù)電容
CT81：高壓高介電常數(shù)電容
CT7：交流圓片瓷介電容
CS1：半導體瓷介電容器

2、額定電壓代號：風華瓷片電容額定電壓采用字母表示不同的額定電壓等級。具體如下：
D：16V E:25V
F：50V
G：100V
J：160V
K：250V
L：500V
N：1kV
M：2kV
P：3kV
Q：4kV
X：250VAC
Y：:400VAC

3、圓片片徑直徑代號：數(shù)字代表有效數(shù)字，單位mm
4、溫度特性見溫度系數(shù)及EIA代碼表
5、瓷片電容引線形式：用數(shù)字1~9表示直角，切角，編帶直角，編帶小內(nèi)彎角，編帶大內(nèi)彎角，雙內(nèi)彎，雙外彎，外單彎等，具體對應引腳形式詳見對應瓷片電容規(guī)格書。
6、6、瓷片電容腳距代號： 分別用四個字母代表四個不同的腳距：A:2.5±0.5mm； B：5.0±0.5mm；
D:7.5±0.5mm；E:10±0.5mm。
7、瓷片電容標稱容量：標稱容量以pF為單位，用三位數(shù)字表示，前兩位是有效數(shù)字，第三位為0的個數(shù)；R表示小數(shù)點。
8、瓷片電容精度（允許偏差）代號：J：±5%；K：±10%；M：±20%；S：+50%/-20%；Z：+80%/-20%；
9、瓷片電容包裝形式：圓片瓷介電容器分別有盒帶包裝和散包裝兩種，分別用T和S表示
10、包封形式：E表示環(huán)氧包封；P表示酚醛包封
11、含鉛等級：W表示本瓷片電容為無鉛產(chǎn)品。風華目前生產(chǎn)的圓片瓷介電容器均為無鉛產(chǎn)品。符合ROSH標準，請放心采購。