“功率半導(dǎo)體器件”領(lǐng)域?qū)＠治銎占巴茝V項目

為提高企業(yè)專利信息運用能力，提升全社會專利信息運用意識，助力國家產(chǎn)業(yè)發(fā)展，國家知識產(chǎn)權(quán)局自2010年啟動了專利分析普及推廣項目。專利分析普及推廣項目的工作原則是“源于產(chǎn)業(yè)、依靠產(chǎn)業(yè)、推動產(chǎn)業(yè)”。在“十二五”期間，國家知識產(chǎn)權(quán)局將從戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)、高技術(shù)產(chǎn)業(yè)和傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)中選擇50個熱點產(chǎn)業(yè)進行研究。目前，已完成16個產(chǎn)業(yè)的專利分析，并以《產(chǎn)業(yè)專利分析報告（1-6冊）》形式公開出版。
 
　　2012年國家知識產(chǎn)權(quán)局繼續(xù)開展專利分析普及推廣項目工作，并已確定10個研究課題。其中“功率半導(dǎo)體器件”領(lǐng)域作為最終確定的項目之一，已經(jīng)啟動并正在進行研究，目前已經(jīng)完成關(guān)鍵技術(shù)“IGBT（絕緣柵雙級型晶體管）”領(lǐng)域的初步分析。

　　為了使得課題組最終形成的分析報告更具有實際指導(dǎo)意義和針對性，非常歡迎本領(lǐng)域的相關(guān)企業(yè)以及關(guān)注該領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)專家、技術(shù)專家參與到課題組的研究工作中！

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        該項目的主要研究內(nèi)容包括：
　　1、功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的全球?qū)＠治龊椭袊鴮＠治觯òㄉ暾埩糠治觥^(qū)域分布、申請人、發(fā)明人、技術(shù)分布等）；
　　2、深入分析關(guān)鍵技術(shù)“IGBT（絕緣柵雙級型晶體管）”領(lǐng)域的專利分布；
　　3、深入分析“SiC（碳化硅）材料功率半導(dǎo)體器件”領(lǐng)域的專利分布；
　　4、主要申請人的深入分析（初步選定三菱、英飛凌、ABB）；
　　5、重要專利篩選和分析；
　　6、技術(shù)演進、技術(shù)功效分析等。