國產(chǎn)功率半導(dǎo)體亟待提高

    功率半導(dǎo)體在產(chǎn)品節(jié)能中發(fā)揮著巨大的作用。在可預(yù)見的將來，無論是水電、核電、火電還是風(fēng)電，甚至各種電池提供的化學(xué)電能，將是人類消耗的最重要能源。但是75%以上的電能應(yīng)用需由功率半導(dǎo)體進(jìn)行變換以后才能供電子設(shè)備使用，而且功率半導(dǎo)體還能使電能的利用更高效、更節(jié)能、更環(huán)保，給使用者提供更多的方便。因此，功率半導(dǎo)體的發(fā)展應(yīng)用前景將非常廣闊。應(yīng)用范圍正從傳統(tǒng)的工業(yè)控制領(lǐng)域——4C領(lǐng)域（計(jì)算機(jī)、通信、消費(fèi)類電子產(chǎn)品和汽車電子）擴(kuò)展到國民經(jīng)濟(jì)與國防建設(shè)的各個方面。

        盡管我國擁有國際上最大的功率半導(dǎo)體市場，但是目前國內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)與國際大公司相比還存在很大差距，特別是高端器件差距更加明顯。以IGBT為例，核心技術(shù)均掌握在發(fā)達(dá)國家企業(yè)手中，IGBT技術(shù)集成度高的特點(diǎn)又導(dǎo)致了較高的市場集中度。跟國內(nèi)廠商相比，英飛凌、三菱電機(jī)、富士電機(jī)和日立等國際廠商占有絕對的市場優(yōu)勢。形成這種局面的原因，一是國際廠商起步早，研發(fā)投入大，尤其是在傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體領(lǐng)域形成了專利壁壘。二是國外高端制造業(yè)水平比國內(nèi)要高很多，一定程度上支撐了國際廠商的技術(shù)優(yōu)勢。中國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展必須改變目前技術(shù)處于劣勢的局面，特別是要在產(chǎn)業(yè)鏈上游層面取得突破，改變目前功率器件領(lǐng)域封裝強(qiáng)于芯片的現(xiàn)狀。

　　總體來看，當(dāng)前功率半導(dǎo)體的技術(shù)發(fā)展方向是：第一，碳化硅芯片的采用;第二，功率半導(dǎo)體里面搭載的各種功能;第三，在封裝技術(shù)上，通過摒棄了綁定線，使功率半導(dǎo)體的壽命更長、穩(wěn)定性更好、功率密度更大。因此，我國功率半導(dǎo)體企業(yè)需要認(rèn)清技術(shù)發(fā)展趨勢，加強(qiáng)技術(shù)力量的引進(jìn)和消化吸收，以市場帶動設(shè)計(jì)，以設(shè)計(jì)促進(jìn)芯片，以芯片壯大產(chǎn)業(yè)，加大國內(nèi)功率半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新力度和提高產(chǎn)品性能，從而滿足市場需求，促進(jìn)功率半導(dǎo)體市場的健康發(fā)展以及國內(nèi)電子信息產(chǎn)業(yè)的技術(shù)進(jìn)步與產(chǎn)業(yè)升級。

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