羅姆已量產(chǎn)頂級低導通電阻的高耐壓功率MOSFET

■高耐壓功率MOSFET"R5050DNZ0C9"的主要特點

    業(yè)內(nèi)頂級的低導通電阻
    具有卓越散熱性能的TO247PLUS封裝

■利用了Si深蝕刻技術的超結(jié)結(jié)構(gòu)
采用縱向p層一次成型的Si深蝕刻技術。
不僅可簡化工序，而且適合微細化。

利用了Si深蝕刻技術的超結(jié)結(jié)構(gòu)

■導通電阻降低47%
※以傳統(tǒng)產(chǎn)品為"1"為例
導通電阻降低47%

日本知名半導體制造商羅姆株式會社(總部：日本京都市)面向太陽能發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器市場，開發(fā)出實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)頂級低導通電阻的高耐壓功率MOSFET"R5050DNZ0C9"(500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)。
本產(chǎn)品采用散熱性卓越的TO247PLUS封裝，于9月中旬開始提供樣品(樣品價格：1000日元/個)，并已于2011年12月份開始投入量產(chǎn)。

隨著節(jié)能趨勢漸行漸強，作為可再生能源的代表，太陽能發(fā)電市場規(guī)模不斷擴大。其功率調(diào)節(jié)器領域，正在努力通過電源轉(zhuǎn)換效率的改善實現(xiàn)節(jié)電，因此對實現(xiàn)更低損耗的功率MOSFET的需求不斷高漲。羅姆此前也一直利用多層外延生長方式，為客戶提供多層縱向pn結(jié)的超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET，持續(xù)為高效化作出了貢獻。但是，由于這種方式的制造工序復雜，因此具有難于微細化和提高生產(chǎn)性能的課題。

此次，羅姆采用縱向p層一次成型的Si深蝕刻技術，通過微細化及雜質(zhì)濃度的優(yōu)化，與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，將導通電阻成功降低了約47%。此產(chǎn)品不僅非常適合低導通電阻容易體現(xiàn)出來的轉(zhuǎn)換器部分，而且與羅姆制造的快速恢復二極管或SiC肖特基勢壘二極管等相組合，還可應用于逆變器。由于可以大幅降低電源轉(zhuǎn)換時的損耗，因此將會大大有助于提高太陽能發(fā)電的效率。另外，為了適用于更多種類的電路方式，羅姆在采用本技術進一步完善高耐壓產(chǎn)品線的同時，還將不斷擴充"PrestoMOS™"系列。

羅姆今后也會繼續(xù)利用獨創(chuàng)的先進工藝加工技術，不斷推進滿足顧客需求的前瞻性晶體管產(chǎn)品的開發(fā)。


■術語解說

    導通電阻
    功率器件動作時的電阻值。是影響功率MOSFET性能的最重要的參數(shù)，其值越小性能越高。
    超結(jié)MOSFET
    利用耗盡層在三維空間中的的拓寬，實現(xiàn)了比傳統(tǒng)產(chǎn)品更低損耗的功率MOSFET。
    SiC(Standard Industrial Classification：碳化硅)
    帶隙是硅的3倍左右、絕緣破壞電場是其10倍左右、導熱率是其3倍左右，是具備優(yōu)異物理性能的化合物半導體，這些特性適合功率器件應用和高溫動作。羅姆在2010年4月實現(xiàn)肖特基勢壘二極管的量產(chǎn)，并于2010年12月實現(xiàn)了MOSFET的量產(chǎn)。
    "PrestoMOS™"系列
    低導通電阻、低Qg并且實現(xiàn)了內(nèi)部二極管的高速trr化的高耐壓MOSFET系列。
    (Presto是指：源于意大利語的意為"極其快速"的音樂用語。)