epson晶振在振蕩回路設(shè)計的注意事項

本文由日本epson官方網(wǎng)站提供，從驅(qū)動能力、負(fù)載電容和振蕩補(bǔ)償三個方面介紹了使用愛普生晶振時對設(shè)計振蕩回路時需要注意的事項。南京南山作為日本進(jìn)口晶振愛普生原廠直接授權(quán)代理商，可提供晶振設(shè)計選型中的技術(shù)支持，歡迎咨詢：電話：025-52188228轉(zhuǎn)8016;郵箱：tech@nscn.com.cn 。如需詢價，請咨詢在線客服或400-888-5058.以下是《epson晶振在振蕩回路設(shè)計的注意事項》正文：

1. 晶體振蕩器的驅(qū)動能力

驅(qū)動能力說明振蕩晶體單元所需電功率，其計算公式如下：
　 驅(qū)動能力 (P) = i2?Re

其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R₁（1+Co/CL）²

晶體單元的等效電路	振蕩電路

2. 負(fù)極電阻對晶振振蕩補(bǔ)償?shù)挠绊?/h3> 除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會增加振蕩啟動時間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請在電路設(shè)計時提供足夠的負(fù)極電阻。

晶體單元和振蕩器	負(fù)極電阻檢查
	將電阻(r)跟晶體單元按串聯(lián)方式連接到電路。 調(diào)整(r)，使得 振蕩發(fā)生（或停止）。 當(dāng)振蕩剛啟動（或停止）時，如（2）所述，測量(r)。 推薦的(r) (r) > CI ×(5至 10)

3. 晶振負(fù)載電容對頻率偏差的影響

如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 C_L≒C_G × C_D / （C_G+C_D） + C_S。
其中CS表示電路的雜散電容。

頻率和負(fù)載電容特征圖器	振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考