新潔能國產(chǎn)MOS管與IGBT

新潔能主要產(chǎn)品包括：12V~200V溝槽型功率MOSFET（N溝道和P溝道）、30V~300V屏蔽柵功率MOSFET（N溝道和P溝道）、500V~900V超結(jié)功率MOSFET、600V~1350V溝槽柵場(chǎng)截止型IGBT，相關(guān)核心技術(shù)已獲得多項(xiàng)專利授權(quán)，四大系列產(chǎn)品均獲得江蘇省高新技術(shù)產(chǎn)品認(rèn)定。公司是高新技術(shù)企業(yè)、中國半導(dǎo)體功率器件十強(qiáng)企業(yè)（中國半導(dǎo)體協(xié)會(huì)，2016&2017&2018年），擁有江蘇省功率器件工程研究中心、江蘇省研究生工作站，注重先進(jìn)半導(dǎo)體功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，多項(xiàng)研發(fā)成果在IEEE、ISPSD等國際期刊/國際會(huì)議上發(fā)表，并被SCI、EI索引。

南山電子-新潔能MOS管、IGBT原廠授權(quán)經(jīng)銷商：